本文標(biāo)題："晶圓顯微鏡廠商-光學(xué)顯微鏡檢測(cè)電極蝕刻結(jié)果實(shí)驗(yàn)"

蝕刻法于晶圓上制作電極圖形(pattern)，并以光學(xué)顯微鏡檢測(cè)電極蝕刻結(jié)果

實(shí)驗(yàn)步驟

（1）取出晶圓右上方部分，先將矽晶片用丙酮、異丙醇及去離子水清潔晶片，洗去第一次微影之光阻圖形。

（2）將晶片表面以 PVD 方式濺鍍上金屬層(Cr)

（3）以簡(jiǎn)易清洗方式清洗濺鍍完之晶圓。

（4）依 Lab1 的方式上光阻微影，將光罩右上角圖形轉(zhuǎn)移至晶圓光阻上。

（5）以光學(xué)顯微鏡將圖中圈起部分（2 處）以 OM 照下來，并量測(cè)微影后特征尺寸的寬度。以檢驗(yàn)第二次微影結(jié)果。

（6）將微影完成之晶圓置于玻璃皿倒入鉻蝕刻液，以進(jìn)行電極蝕刻

（7）金屬蝕刻完成后，將矽晶片用丙酮、異丙醇及去離子水清潔晶片，洗去微影之光阻圖形。

（8）再利用光學(xué)顯微鏡(OM)將圖 1 圈選處（2 處），以 OM 拍攝電極蝕刻結(jié)果，

并量測(cè)特征尺寸的寬度。注意每張 OM 照片上都必須標(biāo)示比例尺

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晶圓顯微鏡廠商-光學(xué)顯微鏡檢測(cè)電極蝕刻結(jié)果實(shí)驗(yàn),熒光顯微鏡現(xiàn)貨供應(yīng)